| 发明名称 | 半导体－纳米晶体/共轭聚合物薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供薄膜及其制造方法，该薄膜包括以高的负载量分散在半导体－聚合物内的半导体－纳米晶体。本发明还公开了掺入该薄膜的光生伏打器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1643702A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN03806320.4 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | P·A·埃利维萨托斯;J·J·迪特墨;W·U·海恩;D·米尔利朗 |
| 分类号 | H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/0264;H01L31/0248;H01L31/18 | 主分类号 | H01L31/0352 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1.一种薄膜，包括：具有至少5wt％半导体-纳米晶体包埋在其中的半导体共轭聚合物，其中：至少一部分半导体-纳米晶体的长宽比大于约2。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||