发光二极管半导体防静电方法及具防静电能力的倒装片半导体组件

摘要

本发明涉及一种保护化合物半导体免于静电放电破坏的方法及具静电保护能力的倒装片半导体组件。该倒装片半导体组件包含一半导体部份及一保护部份，该半导体部分为该发光二极管半导体组件，该保护部分为一导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板，其中该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板的电极衬垫与电极衬垫之间具有电容性结构，该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板二电极分别与被保护的发光二极管半导体组件二电极电性结合而并联。在正常直流工作时，该保护部份的电极与电极之间几乎呈开路状态，当静电来袭时，该保护部分形成为过多电压的放电路径，以达静电保护功能。

主权项

1.一种保护发光二极管半导体免于静电放电破坏的方法，其包括下列步骤：形成该发光二极管半导体于一基板上，其中该发光二极管半导体具有一多层结构及第一与第二电极；形成一导电层绝缘层导电层电容倒装片基板，其中该导电层绝缘层导电层电容倒装片基板上具有第一及第二电极；及分别电性连结该发光二极管半导体的第一及第二电极至该导电层绝缘层导电层电容倒装片基板的该第一及第二电极，该导电层绝缘层导电层电容倒装片基板制作成多层结构，该导电层绝缘层导电层电容倒装片基板具有可保护电压最大值，该最大值可借改变该导电层绝缘层导电层电容倒装片基板的该多层结构及该第一电极与该第二电极的图形而获调整；其特征在于：在所述形成一导电层绝缘层导电层电容倒装片基板步骤中所形成的该导电层绝缘层导电层电容倒装片基板为半导体层绝缘层半导体层基板，或金属层绝缘层半导体层基板，或金属层绝缘层金属层基板。