| 发明名称 | 具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)和在所述第一侧(16)中延伸的并且至少部分地以金属(14、14a)和/或以第二导电类型的半导体材料(40；41)填充的至少一个槽沟(18)，其中，所述槽沟(18)具有至少一个壁区段(20)，所述至少一个壁区段至少局部地具有氧化物层(22)。根据本发明，位于所述槽沟(18)旁的、敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由所述第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层。 | ||
| 申请公布号 | CN105957864A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610130291.5 | 申请日期 | 2016.03.08 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | N·曲;A·格拉赫 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 郭毅 |
| 主权项 | 一种具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)和在所述第一侧(16)中延伸的并且至少部分地以金属(14、14a)和/或以第二导电类型的半导体材料(40；41)填充的至少一个槽沟(18)，其中，所述槽沟(18)具有至少一个壁区段(20)，所述至少一个壁区段至少局部地具有氧化物层(22)，其特征在于，位于所述槽沟(18)旁的、敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由所述第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||