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Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements kann ein Ausbilden einer Wanne in einem Halbleitersubstrat, und dann ein Ausbilden eines Gateoxids auf und/oder über dem Halbleitersubstrat, und dann ein Ausbilden eines Gates auf und/oder über dem Gateoxid, und dann ein Ausbilden eines Taschenbereichs unter dem Gate, und dann ein Ausführen einer ersten Spitzen-Ausheilung auf dem Halbleitersubstrat, und dann ein Ausführen eines Prozesses zum Implantieren eines tiefen Source/Drains auf dem Halbleitersubstrat, und dann ein Ausführen einer zweiten Spitzen-Ausheilung auf dem Halbleitersubstrat umfassen.
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