发明名称 |
一种增强型MOS管基准电压源电路 |
摘要 |
本发明提供了一种增强型MOS管基准电压源电路,电路结构中只包含NMOS管、PMOS管和电阻三种元器件,而不包含耗尽型NMOS管和纵向PNP管,主要利用NMOS和PMOS管阈值电压不同线性温度系数的特性进行温度的补偿,获得较小温度系数的基准电压源。由启动电路,基准电流源电路和基准电压产生电路所组成,其中,启动电路,连接于基准电流源电路,以启动基准电流源电路;基准电流源电路,连接于启动电路与基准电压产生电路之间,被启动电路所启动,为基准电压产生电路提供偏置电流;基准电压产生电路,和基准电流源电路相连接,由基准电流源电路通过镜像电路为其提供偏置电流,此电路产生输出基准电压。 |
申请公布号 |
CN101598954A |
申请公布日期 |
2009.12.09 |
申请号 |
CN200910138349.0 |
申请日期 |
2009.05.09 |
申请人 |
南京微盟电子有限公司 |
发明人 |
喻晓涛 |
分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种增强型MOS管基准电压源电路,其特征是包括:启动电路,连接于基准电流源电路,以启动基准电流源电路;基准电流源电路,连接于启动电路与基准电压产生电路之间,被启动电路所启动,为基准电压产生电路提供偏置电流;基准电压产生电路,和基准电流源电路相连接,由基准电流源电路通过镜像电路为其提供偏置电流,此电路产生输出基准电压。 |
地址 |
210042江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号1号楼5层 |