发明名称 半导体存储器装置
摘要 本发明提供一种半导体存储器装置及其控制方法。在半导体存储器装置(110)内设置卡信息存储部(119),存储与半导体存储器装置(110)的特性相关的信息。设置文件系统接口控制部(120),基于所存储的特性信息,执行适于半导体存储器装置(110)的特性的文件存取。由此,存取装置(100)可不在意半导体存储器装置(110)的特性地经文件系统接口控制部(120)执行最佳的文件存取。
申请公布号 CN100470502C 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200580002536.6 申请日期 2005.01.24
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 前田卓治;井上信治;辻田昭一;后藤芳稔;大原淳;松野公则;田村和明
分类号 G06F12/00(2006.01)I;G06F3/08(2006.01)I;G06F12/06(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I 主分类号 G06F12/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 曲 瑞
主权项 1、一种半导体存储器装置,包括:非易失性存储器,由多个扇区构成,所述多个扇区中连续的特定个扇区被分组为作为数据删除最小单位的块,对从外部存取装置发送来的数据进行写入及读出;存储器控制器,在从所述存取装置输入了包含控制信号的指令时,控制对所述非易失性存储器的数据删除、写入及读出;装置信息存储部,存储包含所述非易失性存储器的删除块大小的、与半导体存储器装置的物理特性相关的装置信息;文件系统接口控制部,根据存储于所述装置信息存储部中的装置信息,对所述非易失性存储器实施文件存取处理;和低电平IO接口控制部,在从进行文件系统控制的所述存取装置输入了请求对所述非易失性存储器的任意位置进行数据写入或读出处理的指令时,对所述非易失性存储器内的任意位置实施数据写入或读出处理,其中,所述非易失性存储器具有由所述文件系统接口控制部和所述低电平IO接口控制部两方控制的共用区域,在所述半导体存储器装置中设置指令,该指令用以选择所述两个接口控制部中的所使用的接口控制部,并指定切换所述存取装置明示使用的接口控制部。
地址 日本大阪府