| 摘要 |
하나 이상의 하전 입자 빔릿들의 하나 이상의 특징들을 결정하기 위한 센서를 포함하는, 패턴을 타겟의 표면으로 전사하기 위한 하전 입자 빔릿 리소그래피 시스템이 개시된다. 센서는 하전 입자들(22)을 수용하고 이에 응답하여 광자들(photons)을 생성하기 위한 변환기 엘리먼트(1)를 포함한다. 변환기 엘리먼트는 하나 이상의 하전 입자 빔릿들을 수용하기 위한 표면을 포함하고, 표면에는 하나 이상의 개별적인 빔릿들을 평가하기 위한 하나 이상의 셀들이 제공된다. 각각의 셀은 변환기 엘리먼트 표면에 걸쳐 미리결정된 빔릿 스캔 궤적을 따라 차단 및 비차단 영역들 사이의 전이들(transitions)에서 다수의 나이프 에지들(knife edges)을 형성하는 미리결정된 차단 패턴(18)의 하나 이상의 하전 입자 차단 구조들을 포함한다. 변환기 엘리먼트 표면은 하전 입자들에 대해 실질적으로 침투 가능하고 주변 광(ambient light)에 대해 실질적으로 침투 불가한 코팅층(20)으로 코팅된다. 전기적으로 도전성 층(21)은 코팅층 및 차단 구조들 사이에 위치된다. |
