| 发明名称 | 功率金属氧化物半导体场效应管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例公开了一种功率金属氧化物半导体场效应管，包括：具有第一导电类型的漏区；位于所述漏区表面、具有第二导电类型的体区，其中第一导电类型和第二导电类型的极性相反；位于体区表面、具有第一导电类型的源区；贯穿源区、体区以及部分位于漏区的U型沟槽；覆盖U型沟槽内表面的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括位于U型沟槽侧壁的隔离部和位于U型沟槽底部的调节部，所述调节部用于调节所述栅绝缘层内的电场线分布；位于U型沟槽内且位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；位于所述漏区内的浮置环，所述浮置环具有第二导电类型，所述浮置环与所述调节部接触。本发明实施例的功率金属氧化物半导体场效应管可以有效减轻雪崩击穿现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102184960B | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201110103209.7 | 申请日期 | 2011.04.22 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 苟鸿雁;吴小利 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种功率金属氧化物半导体场效应管，包括：具有第一导电类型的漏区；位于所述漏区表面、具有第二导电类型的体区，其中第一导电类型和第二导电类型的极性相反；位于所述体区表面、具有第一导电类型的源区；其特征在于，还包括：贯穿所述源区、体区以及部分位于所述漏区的U型沟槽；覆盖所述U型沟槽内表面的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括位于所述U型沟槽侧壁的隔离部和位于所述U型沟槽底部的调节部，所述调节部用于调节所述栅绝缘层内的电场线分布；位于U型沟槽内且位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；位于所述漏区内的浮置环，所述浮置环具有第二导电类型，所述浮置环与所述调节部接触；其中，所述调节部和所述栅电极层的接触面为<img file="FDA0000940576690000011.GIF" wi="164" he="63" />或<img file="FDA0000940576690000012.GIF" wi="156" he="68" />形，以使栅绝缘层内的电场线分布均匀；所述调节部到体区的距离为<img file="FDA0000940576690000013.GIF" wi="285" he="63" /> | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||