发明名称 |
磁阻式随机存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元,其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。 |
申请公布号 |
CN102881820B |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201210012951.1 |
申请日期 |
2012.01.16 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
刘明德;江典蔚;高雅真;陈文正 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;房岭梅 |
主权项 |
一种磁阻式随机存储器单元,包括:磁隧道结;顶部电极,设置在所述磁隧道结上方;底部电极,设置在所述磁隧道结下方;以及感应线,设置在所述磁隧道结的一侧,其中,所述感应线配置为通过流过所述感应线的电流在所述磁隧道结处感生出垂直磁场,并且,所述感应线与所述顶部电极之间通过空隙间隔开一距离,其中,所述感应线形成在与所述顶部电极相同的层中。 |
地址 |
中国台湾新竹 |