发明名称 METAL NANODOT FORMATION METHOD METAL NANODOT FORMATION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
摘要 본 발명은 CVD법에 의해, 미세하면서도 또한 거의 균등한 분포로 금속 나노 도트를 형성하는 방법을 제공한다. 금속 나노 도트의 형성 방법은, CO 가스를 수용하는 CO 가스 용기(43)로부터, 원료로서 고체 상태의 루테늄카르보닐을 수용하는 원료 용기(41)에 캐리어 가스로서 CO 가스를 공급함으로써, 루테늄카르보닐 가스를 CO 가스와의 혼합 가스로서 처리 용기(1) 내에 도입하고, 웨이퍼(W) 상에서 루테늄카르보닐을 분해시켜서 금속 나노 도트를 형성하는 퇴적 공정과, 처리 용기(1) 내에의 혼합 가스의 도입을 정지한 상태에서, CO 가스 용기(43)로부터 CO 가스를 처리 용기(1) 내에 직접 도입해서 웨이퍼(W)의 표면에 CO 가스를 접촉시키는 CO 가스 도입 공정을 포함한다. 바람직하게는, 퇴적 공정과 CO 가스 도입 공정을 복수회 반복한다.
申请公布号 KR20160137369(A) 申请公布日期 2016.11.30
申请号 KR20160056957 申请日期 2016.05.10
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 ISHIZAKA TADAHIRO
分类号 H01L21/285;H01L21/02;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/06 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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