发明名称 パルスバイアスを用いて引き出し電極アセンブリを洗浄する方法
摘要 イオン源の性能を改善し寿命を延長させるシステム及び方法を開示する。このイオン源は、イオン源チャンバ、抑制電極、及び接地電極を含む。処理モードでは、抑制電極に負電圧のバイアスをかけながらイオン源チャンバに第1正電圧のバイアスをかけて、正イオンをチャンバ内から開口を通してワークピースに向けて誘引する。洗浄モードでは、イオンビームが抑制電極及び接地電極に当たるように、イオンビームをデフォーカスさせる。イオン源チャンバ及びこれらの電極に印加する電圧をパルス化して、こうした洗浄モード中のグリッチの可能性を最小にする。
申请公布号 JP2016541086(A) 申请公布日期 2016.12.28
申请号 JP20160520652 申请日期 2014.10.09
申请人 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 发明人 クリストファー ジェイ リーヴィット;ピーター エフ クルンクジ
分类号 H01J27/14;H01J37/08;H01L21/265;H05H1/50 主分类号 H01J27/14
代理机构 代理人
主权项
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