发明名称 |
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选择性湿法腐蚀源区、漏区和碰撞电离区上方的介质膜,可以依次自对准的将它们制备出来,由此消除了传统制备IMOS工艺中多次光刻之间对准偏差的影响,有利于制备出特性稳定可靠的平面IMOS器件。 |
申请公布号 |
CN101789374B |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN201010100174.7 |
申请日期 |
2010.01.22 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
艾玉杰;黄如;郝志华;范春晖;浦双双;王润声;云全新 |
分类号 |
H01L21/329(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
李稚婷 |
主权项 |
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过浅槽隔离定义有源区,然后依次生长栅介质、淀积多晶硅,并进行多晶硅栅注入;2)在多晶硅栅上淀积并刻蚀硬介质I,形成两条平行的硬介质I掩膜,其中第一条掩膜定义了沟道区,第二条掩膜和两条掩膜之间的间隔区域定义了碰撞电离区;3)覆盖有源区淀积硬介质II,并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II,其中硬介质I和硬介质II是不同的材料,可以通过不同的化学试剂进行选择性腐蚀;4)在硬介质I和II形成的掩膜上涂光刻胶,在即将形成漏区的区域上方光刻定义一通孔,通过该通孔湿法腐蚀去掉该区域上方的硬介质II,再去掉光刻胶,随后刻蚀去掉该区域上方的多晶硅,进行n型离子掺杂注入形成器件的漏区;5)在漏区上方淀积硬介质II,并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II,形成保护漏区的硬掩膜;6)在硬介质I和II形成的掩膜上涂光刻胶,在即将形成源区的区域上方光刻定义一通孔,通过该通孔湿法腐蚀去掉该区域上方的硬介质II,再去掉光刻胶,随后刻蚀去掉该区域上方的多晶硅,进行p型离子掺杂注入形成器件的源区;7)在源区上方淀积多晶硅,以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光多晶硅,再进一步刻蚀源区上方多晶硅至硬介质I掩膜的下表面;8)在源区上方淀积硬介质II,并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II;9)在硬介质I和II形成的掩膜上淀积一多晶硅薄层;10)在步骤9)淀积的多晶硅薄层上涂光刻胶,在源区上方光刻定义一通孔,并通过干法刻蚀将通孔图形转移到多晶硅薄层上,通过该通孔选择性湿法腐蚀依次去掉源区上方的硬介质II、碰撞电离区上方的硬介质I和碰撞电离区上方的硬介质II,然后去掉光刻胶;11)刻蚀除去多晶硅薄层与源区和碰撞电离区上方的多晶硅,再淀积硬介质II,并以硬介质I掩膜上表面为停止层化学机械抛光硬介质II,形成保护源区和碰撞电离区的硬掩膜;12)退火激活杂质,完成晶体管制作的后道工序。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |