| 发明名称 | 存储设备、信息存储方法、方法以及结构化的材料 | ||
| 摘要 | 一种存储设备，包括多个通过在基体(1502)的一个或多个区域(1510，1512)施加压力和移去压力以改变这些区域(1510，1512)的电导率而形成的纳米规模的存储单元(1510，1512)。导电读取探针(1514)测定所述区域的电导率，由此将信息存储在所述单元中。写入探针(1508)在选定的单元施加压力和移去压力以改变所述单元的电导率，由此存储或删除信息。 | ||
| 申请公布号 | CN1890755A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480036443.0 | 申请日期 | 2004.12.09 |
| 申请人 | 日欧塔控股有限公司 | 发明人 | J·S·威廉姆斯;J·E·布拉德比;M·V·斯温 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01);G11B9/14(2006.01) | 主分类号 | G11C11/34(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈剑华 |
| 主权项 | 1.一种信息存储方法，包括：在基体的一个或多个区域中施加压力和移去压力，以在所述一个或多个区域中存储信息。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士 | ||