| 发明名称 | 介电陶瓷组合物和多层电子元件 | ||
| 摘要 | 专利文献1的用于高频的介电陶瓷组合物具有1350℃～1400℃之高的焙烧温度，因为过分高的焙烧温度，所以不适合用作多层电容器的材料。专利文献2的多层电容器需要复杂费时的制备方法，由于粘合层和陶瓷层之间的热收缩系数差，所以产生结构缺陷，从而存在多层陶瓷电容器小型化和多层化的困难。本发明的介电陶瓷组合物由通式Mg<SUB>x</SUB>SiO<SUB>2+x</SUB>+aSr<SUB>y</SUB>TiO<SUB>2+y</SUB>表示，其中x、y和a分别满足关系式：1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。 | ||
| 申请公布号 | CN1890196A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480036525.5 | 申请日期 | 2004.12.10 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 田村浩;佐野晴信 |
| 分类号 | C04B35/20(2006.01) | 主分类号 | C04B35/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示的介电陶瓷组合物，其中x、y和a分别满足关系式：1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||