一种并联双结太阳能电池的制造工艺

摘要

本发明涉及一种并联双结太阳能电池，包括硅片，硅片的上表面一侧由内向外依次制有一个深结和一个浅结，形成P-N-P型或N-P-N型双结电池，电池的掺杂元素扩散在深结和浅结之间的第一晶硅层内，第一晶硅层从内向外延伸至顶电极区，并且顶电极区为重掺杂区，浅结上方为与掺杂元素电性相反的第二晶硅层，第二晶硅层位于硅片上表面的顶电极区域以外，顶电极与第一晶硅层欧姆接触，非顶电极区制有与第二晶硅层欧姆接触的反型电极，反型电极与背电极连接。本发明在同一个单晶硅电池内形成了两个PN结，并共用一个p区，减少了串联叠层电池中载流子需要穿越隧穿结的困难；浅结有利于短波的吸收，深结有效保证长波的吸收，因此电池的性能更好。

主权项

一种并联双结太阳能电池的制造工艺，其特征是包括如下步骤：第1步、使用磁控溅射的方法在制绒后的硅片上表面淀积一层厚度约为0.05微米的含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；第2步、将淀积后的硅片进行高温扩散，使二氧化硅薄膜中的掺杂元素扩散入硅片，形成PN深结；第3步、除去硅片上表面顶电极区以外的二氧化硅薄膜；第4步、在硅片上表面淀积本征非晶硅层；第5步、将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使硅片上表面顶电极区以外区域的掺杂元素被完全扩散入非晶硅层，形成PN浅结，所述浅结上方的非晶硅层与掺杂元素的电性相反，顶电极区二氧化硅薄膜中的掺杂元素进一步向顶电极区扩散，同时非晶硅层被氧化；第6步、采用氢氟酸缓冲溶液去除硅片上表面所有的氧化层;第7步、硅片上表面淀积氮化硅抗反射薄膜；第8步、硅片上表面的顶电极区制备顶电极，硅片上表面的顶电极区以外区域制备反型电极；硅片下表面制备背电极，将背电极与反型电极连接。