发明名称 薄膜晶体管及其制造方法
摘要 一种薄膜晶体管,包括一栅极、一绝缘层、一沟道层、一蚀刻中止层、一欧姆接触层、一源极及一漏极。栅极设置于一基板上。绝缘层设置于基板之上,并覆盖栅极。沟道层设置于部分的绝缘层上,并对应于栅极,且沟道层的宽度小于或等于栅极的宽度。蚀刻中止层设置于部分的沟道层上,并对应于栅极,且蚀刻中止层的宽度小于沟道层的宽度。欧姆接触层设置于部分的绝缘层上,并覆盖蚀刻中止层的二端及沟道层的二端。源极及漏极设置于欧姆接触层上,用以对应地透过欧姆接触层与沟道层的此二端电连接。
申请公布号 CN100449715C 申请公布日期 2009.01.07
申请号 CN200610006016.9 申请日期 2006.01.23
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 梁中瑜;张鼎张;刘柏村;王敏全;陈信立;甘丰源
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种薄膜晶体管的制造方法,包括:形成栅极于基板上;形成绝缘层于该基板上,且覆盖该栅极;依序形成沟道材料层、蚀刻中止材料层及第一光致抗蚀剂层于该绝缘层上;图案化该第一光致抗蚀剂层,以形成第一图案化光致抗蚀剂层,该第一图案化光致抗蚀剂层对应于该栅极,且该第一图案化光致抗蚀剂层的宽度小于或等于该栅极的宽度;去除部分的该蚀刻中止材料层,以形成蚀刻中止层,该蚀刻中止层对应于该栅极,且该蚀刻中止层的宽度小于该栅极的宽度;去除部分的该沟道材料层,以形成沟道层,该沟道层对应于该栅极,且该沟道层的宽度小于或等于该栅极的宽度;去除该第一图案化光致抗蚀剂层;以及依序形成欧姆接触层、源极及漏极于该绝缘层之上,该欧姆接触层覆盖该蚀刻中止层的二端及该沟道层的二端,且该源极及该漏极对应地透过该欧姆接触层与该沟道层的该二端电连接,其中该形成该欧姆接触层、该源极及该漏极的步骤包括:依序形成欧姆接触材料层、金属层及第二光致抗蚀剂层于该绝缘层上;图案化该第二光致抗蚀剂层,以形成第二图案化光致抗蚀剂层,并对应于该栅极,且该第二图案化光致抗蚀剂层的宽度大于该栅极的宽度,该第二图案化光致抗蚀剂层具有至少一第一部份、至少一第二部份及至少一第三部份,该第二部份对应于该栅极的二端且相邻于该第一部份及该第三部份之间,该第一部份对应于该蚀刻中止层,且该第二部份的厚度大于该第一部份,该第一部份的厚度大于该第三部份的厚度;去除部分的该金属层及部分的该欧姆接触材料层,以分别形成图案化金属层及图案化欧姆接触层;以灰化方式去除该第一部份及该第三部份且削薄该第二部份,以形成具有开口的第三图案化光致抗蚀剂层,该开口对应于该蚀刻中止层且暴露部分的该图案化金属层;去除部分的该图案化金属层及部分的该图案化欧姆接触层,以形成该欧姆接触层、该源极及该漏极;以及去除该第三图案化光致抗蚀剂层。
地址 台湾省新竹市