发明名称 |
半导体装置及其写入方法 |
摘要 |
半导体装置(1001)具备存储单元和写入控制电路,存储单元包含存储晶体管(10A),存储晶体管(10A)具有含有金属氧化物的活性层(7A),存储晶体管(10A)是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管,在将存储晶体管(10A)的阈值电压设为Vth,将漏极‐源极间电压设为Vds时,写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到漏极(9dA)、源极(9sA)以及栅极电极(3A)的电压进行控制,由此进行向存储晶体管(10A)的写入。 |
申请公布号 |
CN105765662A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201480064108.5 |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
加藤纯男;上田直树 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01)I;G11C17/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市隆安律师事务所 11323 |
代理人 |
权鲜枝 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具备:至少1个存储单元;以及写入控制电路,其对向上述至少1个存储单元的写入进行控制,上述至少1个存储单元包含具有活性层的存储晶体管,上述活性层含有金属氧化物,上述存储晶体管是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管,在将上述存储晶体管的阈值电压设为Vth,将上述存储晶体管的漏极‐源极间电压设为Vds时,上述写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到上述存储晶体管的漏极电极、源极电极以及栅极电极的电压进行控制,由此进行向上述存储晶体管的写入。 |
地址 |
日本大阪府 |