| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述半导体器件，包括：半导体衬底；第一栅极介电层，位于所述半导体衬底上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层选用单层或者双层的二维金属硫族化物；第二栅极介电层，位于所述沟道层上，栅极结构，位于所述第二栅极介电层上，作为所述半导体器件的前部栅极。本发明中选用单个二维半导体层(individual 2-dimensional)作为沟道材料，与较厚的半导体层相比，单个2维半导体层(individual 2-dimensional)的二维几何结构可以改进栅极结构的静电控制和减小短沟道效应，同时使用单个2维半导体层(individual 2-dimensional)可以降低能耗。 | ||
| 申请公布号 | CN105990427A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510086334.X | 申请日期 | 2015.02.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一栅极介电层，位于所述半导体衬底上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层选用单层或者双层的二维金属硫族化物；第二栅极介电层，位于所述沟道层上，栅极结构，位于所述第二栅极介电层上，作为所述半导体器件的前部栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||