| 发明名称 | MIM电容器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MIM电容器及其制作方法，在形成第一金属层之后先进行退火，然后依次在第一金属层上沉积第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层，并且第二绝缘层中硅元素与氮元素的比值大于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值，从而降低第一金属层的表面应力，改善第一金属层表面的异常析出现象，并且由于第一绝缘层与第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值减小，从而减小了与第一金属层以及第二金属层相接触的表面上的悬空键，提高了电容器的电场耐受力，最终提高了产品的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105990099A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510095276.7 | 申请日期 | 2015.03.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王亮;李广宁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种MIM电容器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一金属层；对所述第一金属层进行退火；在所述第一金属层上依次沉积第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层，其中，所述第二绝缘层中硅元素与氮元素的比值大于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值；在所述第三绝缘层上形成第二金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||