缺陷定位方法

摘要

本发明揭示了一种缺陷定位方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底内包括多个在垂直方向延伸的金属塞，所述半导体基底的材料对激光具有透光性；沿着所述垂直方向对半导体基底制备断面，所述断面与所述金属塞的距离大于等于100μm；以及对所述金属塞通电，并用所述激光从所述断面对所述半导体基底进行照射，并进行热点分析，通过亮点的位置判断缺陷在垂直方向的深度。由于所述半导体基底的材料对激光具有透光性，所以，如果所述金属塞中具有缺陷，所述缺陷经过激光的照射，所述缺陷的电阻值会发生变化，并呈现出亮点，从而经过热点分析，通过亮点的位置判断缺陷在垂直方向的深度。

主权项

一种缺陷定位方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底内包括多个在垂直方向延伸的金属塞，所述半导体基底的材料对激光具有透光性；沿着所述垂直方向对半导体基底制备断面，所述断面与所述金属塞的距离大于等于100μm；以及对所述金属塞通电，并用所述激光从所述断面对所述半导体基底进行照射，并进行热点分析，通过亮点的位置判断缺陷在垂直方向的深度。