硅外延晶片的制造方法

摘要

对于硼、砷或磷作为掺杂物添加至1×10¹⁹/cm³以上的浓度、并在背面形成了CVD氧化膜1的硅单晶衬底PW，一边使CVD氧化膜1残存一边通过氢氟酸处理来湿蚀刻硅单晶衬底PW的主表面上的氧化膜(步骤S5)。其次，在氢气中在950℃以下烘烤硅单晶衬底PW，干蚀刻硅单晶衬底PW的主表面上的自然氧化膜(步骤S7)。然后，在比主外延层3的生长温度低的温度下形成副外延层2(步骤S8)，在900℃以上～1200℃以下的温度下，在副外延层2上形成主外延层3(步骤S9)。

主权项

1.一种硅外延晶片的制造方法，是通过按下述顺序进行：在添加了硼、砷或磷作为掺杂物的硅单晶衬底的主表面上形成副外延层的副外延层形成工序、和在上述副外延层上形成主外延层的主外延层形成工序，由此在上述硅单晶衬底的主表面上形成具有主外延层和副外延层的硅外延层的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，作为上述硅单晶衬底，使用在背面形成了用于防止自动掺杂的硅氧化膜的硅单晶衬底，按下述顺序进行下述工序后进行上述副外延层形成工序：将上述硅单晶衬底浸渍在氢氟酸中，一边使上述用于防止自动掺杂的硅氧化膜残存，一边湿蚀刻在上述硅单晶衬底的主表面上形成的氧化膜的氢氟酸处理工序；和一边将上述硅单晶衬底加热至比上述主外延层的生长温度低的温度，一边在氢气气氛中干蚀刻在上述硅单晶衬底的主表面上形成的自然氧化膜的烘烤工序。