一种减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法

摘要

在先进的半导体制造工艺中，随着特征尺寸的逐步缩小，其控制规范也越来越紧。逻辑电路由于孤立结构和密集结构同时存在，如何缩小二者之间的差异从而将所有结构控制在同一规范内显得越来越困难。尤其在接触孔光刻方面，由于应用了象PSM(移相掩膜)一类的RET技术，在解决了分辨率问题的同时也很容易出现孤立接触孔尺寸远比密集接触孔尺寸小的情况。本发明通过紫外线固胶来降低孤立接触孔和密集接触孔间尺寸的差异。由于孤立接触孔周围大片是光刻胶，和密集接触孔相比光刻胶收缩导致的尺寸变化更大，从而可以明显减小二者之间的差异，甚至将二者调整到一致。

主权项

1、一种集成电路工艺中减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法，其特征在于在接触孔光刻后，采用对紫外线敏感的DUV光刻胶进行固胶；通过调节光刻胶烘烤温度、时间及紫外功率来控制光刻胶的收缩，调整孤立接触孔和密集接触孔的尺寸使二者趋于一致。