| 发明名称 | 发光二极管的封装基板的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管的封装基板的形成方法，包括提供一硅基板，该硅基板具有一第一面、一第二面及多个贯穿孔；藉由等离子体加强式化学气相沉积(PECVD)技术形成一绝缘层覆盖该第一面及该第二面，并同时形成一绝缘颈环(insulating collar)覆盖该多个贯穿孔的内壁；然后形成一导电层覆盖该绝缘层及该绝缘颈环。 | ||
| 申请公布号 | CN100449799C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200410011798.6 | 申请日期 | 2004.09.29 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 陈泽澎;邓绍猷;谢政璋 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/48(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管的封装基板的形成方法，包括：提供硅基板，该硅基板具有上表面、下表面及多个贯穿孔；将该硅基板经过含有反应气体的高温炉，以形成绝缘层覆盖该上表面及该下表面，及形成绝缘颈环覆盖该每个贯穿孔的内壁；对该绝缘颈环实施等离子体加强式化学气相沉积，使所得最终绝缘颈环均匀分布在该每个贯穿孔的内壁上，以避免该内壁露出；以及形成导电层覆盖该绝缘层及该最终绝缘颈环。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||