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1.一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺，其特征在于，利用直流辉光放电的方法，在半导体器件的终端台面上淀积一层掺氧半绝缘多晶硅膜，再在掺氧半绝缘多晶硅膜上涂敷聚酰亚胺，使半导体台面器件钝化；包括以下步骤：1)将经台面造型的硅台面半导体器件作常规的终端台面造型并进行常规的腐蚀、清洗；2)将前述管芯在配比为1∶8∶8的HF∶HNO3∶H2O混合液中处理1-2分钟；3)将前述处理后的管芯作常规的清洗后烘干或用N2气吹干、备用；4)将电阻率大于500Ω·cm的高阻硅单晶作为溅射源放在真空反应室内的阴极板上，将钝化的硅半导体台面器件放在阳极板上，两个平行极板的间距为3cm～8cm；5)用铝制挡板将待钝化的硅半导体台面器件的阴极电接触遮挡，即只露出器件的台面部分；6)在真空反应室内充溅射气体氩气和氧气混合气体，氩气和氧气的流量比控制在0.5％～15％之间；使真空室内的真空度为1×10-2乇；7)将直流高压3000V加在真空反应室内的两个平行的极板上，其中阴极接高压端，阳极与真空系统和真空室同时接地，溅射时间为15min；直流高压使其产生辉光放电，辉光放电产生的正离子高速向阴极运动，轰击阴极的硅靶，被轰击出来的硅原子与氧气反应的生成的掺氧半绝缘多晶硅膜淀积到硅半导体器件的台面上；8)将硅半导体台面器件自然冷却至小于60℃后，将聚酰亚胺涂敷于已淀积的掺氧半绝缘多晶硅膜上，并静止放置10分钟；9)将涂敷聚酰亚胺的管芯放入烘箱中，抽真空或N2气保护下120℃预烘30分钟；10)继续升温至140℃，抽真空或N2气保护下预固化3小时；11)抽真空或N2气保护下300℃固化1小时；12)将管芯自然降温至室温后取出即可。 |
