| 摘要 |
Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Verfahren zum Planarisieren eines Halbleiterwafers bereit, wobei das Verfahren ein Bereitstellen eines Halbleiterwafers, der eine Oberfläche umfasst; und ein Ausbilden einer Maskenschicht auf der Oberfläche des Halbleiterwafers umfasst, wobei eine Stärke der Maskenschicht in Dünnungsbereichen, die zum Planarisieren zu dünnen sind, kleiner ist als in Bereichen, die zum Planarisieren nicht zu dünnen sind. |
