MRAM DRY PLASMA ETCH METHOD TO PATTERN MRAM STACK

摘要

휘발성 종을 형성하도록 할로겐 및 에칭될 금속과 반응하는 재료를 증착하고 그리고 기판을 에칭하도록 할로겐-함유 가스 및 활성화 가스에 기판을 노출시킴으로써 금속을 에칭하는 방법들이 제공된다. 증착된 재료들은 실리콘, 게르마늄, 티타늄, 탄소, 주석, 및 이들의 조합들을 포함할 수도 있다. 방법들은 MRAM 구조체들을 제조하기에 적합하고 진공을 파괴하지 않고 ALD 프로세스와 ALE 프로세스를 통합하는 것을 수반할 수도 있다.