一种发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，P型层上设有电流阻挡层和透明导电层，电流阻挡层上设有P型电极，N型层上设有N型电极，电流阻挡层为SiO₂层和SiN层的复合结构，SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在SiN层上的SiO₂层，或者SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在SiO₂层上的SiN层，或者SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在SiO₂层中间的SiN层。本发明提高了LED芯片的良率。

主权项

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上设有电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层上设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，其特征在于，所述电流阻挡层为SiO₂层和SiN层的复合结构，所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在所述SiN层上的SiO₂层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在所述SiO₂层上的SiN层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在所述SiO₂层中间的SiN层。