| 发明名称 | LDMOS装置中的锥形栅极氧化物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种LDMOS装置中的锥形栅极氧化物。本发明提供用于LDMOS装置的方法。一种形成半导体结构的方法包括：形成栅极介电质，该栅极介电质包括具有第一均匀厚度的第一部分、具有不同于该第一均匀厚度的第二均匀厚度的第二部分、以及具有自该第一部分延伸至该第二部分的锥形表面的过渡部分。该栅极介电质形成于衬底的平坦的上表面上。该锥形表面相对于该衬底的该上表面呈锐角。 | ||
| 申请公布号 | CN105742169A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201511021306.6 | 申请日期 | 2015.12.30 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | B·J·布朗;N·B·费尔彻恩弗尔德;M·G·勒维;S·莎尔玛;Y·石;M·J·谢拉克 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，包括：形成栅极介电质，该栅极介电质包括具有第一均匀厚度的第一部分、具有不同于该第一均匀厚度的第二均匀厚度的第二部分、以及具有自该第一部分延伸至该第二部分的锥形表面的过渡部分，其中，该栅极介电质形成于衬底的平坦的上表面上，以及该锥形表面相对于该衬底的该上表面呈锐角。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||