一种鳍片场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成氧化物硬掩膜层；蚀刻去除部分氧化物硬掩膜层，以形成具有高区和低区的阶梯形氧化物硬掩膜层；在阶梯形氧化物硬掩膜层上沉积第一硬掩膜层；在阶梯形氧化物硬掩膜层的高区和低区分别形成至少一个沟槽；填充所述沟槽形成鳍片；沉积第二硬掩膜层，以覆盖所述鳍片；蚀刻所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层以及所述阶梯形氧化物硬掩膜层，以在所述每个鳍片两侧各形成一个沟槽；湿法蚀刻去除所述露出的所述氧化物硬掩膜层，以露出所述鳍片的底部；氧化所述鳍片的底部；去除剩余的所述第一硬掩膜层、第二硬掩膜层，以露出所述鳍片。本发明所述方法简单易控。

主权项

一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氧化物硬掩膜层；蚀刻去除部分氧化物硬掩膜层，以形成具有高区和低区的阶梯形氧化物硬掩膜层；在所述阶梯形氧化物硬掩膜层上沉积第一硬掩膜层并平坦化；蚀刻所述第一硬掩膜层、所述阶梯形氧化物硬掩膜层至所述半导体衬底，在所述阶梯形氧化物硬掩膜层的高区和低区分别形成至少一个沟槽；采用半导体材料填充所述沟槽并回刻形成鳍片；在所述第一硬掩膜层上沉积第二硬掩膜层，以覆盖所述鳍片；蚀刻所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层以及所述阶梯形氧化物硬掩膜层至所述半导体衬底，以在所述每个鳍片两侧各形成一个沟槽，在所述沟槽中露出所述氧化物硬掩膜层；湿法蚀刻去除所述露出的所述氧化物硬掩膜层，以露出所述鳍片的底部；氧化所述鳍片的底部，形成氧化物；去除剩余的所述第一硬掩膜层、第二硬掩膜层，以露出所述鳍片。