半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法

摘要

本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。

主权项

一种半导体结晶性评价装置，其特征在于包括：激发光照射部，向形成在具有电气导电性的导电性膜上的作为评价对象的半导体膜照射指定的激发光；电磁波照射部，向所述半导体膜照射波长λ的电磁波；介电体板，设置在所述半导体膜中所述激发光及所述电磁波所照射的面侧，由对于所述激发光具有透光性的介电体形成；检测部，检测被所述半导体膜反射的所述电磁波的反射波的强度；评价部，根据所述检测部的检测输出来评价所述半导体膜的结晶性，所述介电体板的厚度D是所述检测部的检测输出为Lmax×1/e以上时的范围中的任一值，其中，Lmax是设置介电常数为ε且厚度为λ/(4×(ε)^1/2)的基准介电体板时的所述检测部的检测输出，e是纳皮尔数，所述电磁波照射部包括变更所述电磁波的波长的波长变更部，所述半导体结晶性评价装置还包括：波长控制部，通过控制所述电磁波照射部的所述波长变更部来控制所述电磁波的波长。