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Eine Induktivität einer Verdrahtung in einer Halbleitervorrichtung für einen mittleren Arm, der in einem dreistufigen Wechselrichter eingesetzt wird, wird verringert. Die Halbleitervorrichtung umfasst eine erste Leiterplatte (12a), auf der ein erstes Schaltelement (14) und eine erste Diode (15), die invers parallel verbunden sind, angeordnet sind, eine zweite Leiterplatte (12b), auf der ein zweites Schaltelement (16) und eine zweite Diode (17), die invers parallel verbunden sind, angeordnet sind, eine gedruckte Schaltung (18), die gegenüberliegend der ersten Leiterplatte (12a) und der zweiten Leiterplatte (12b) angeordnet ist, und eine Vielzahl von leitenden Pfosten (19 und 20), die das erste Schaltelement (14), das zweite Schaltelement (16), die erste Diode (15), die zweite Diode (17), die erste Leiterplatte (12a) oder die zweite Leiterplatte (12b) und Metallschichten der gedruckten Schaltung (18) elektrisch verbinden. Das erste Schaltelement (14) und das zweite Schaltelement (16) sind in Antiserie verbunden, um einen bidirektionalen Schalter zu bilden. |
