| 发明名称 | 具有氮化层和氧化层的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件的制造方法能够抑制形成绝缘膜时的缺陷的产生。具备：将半导体衬底放置在气氛中而在上述半导体衬底的表面形成氮化膜的工序，其中该气氛包含使上述半导体衬底的表面氮化的第一氮化气体、在制造中实质上不与上述半导体衬底反应的第一稀释气体，上述第一稀释气体的分压力和上述第一氮化气体的分压力的和与上述第一氮化气体的分压力的比大于等于5，并且总压力小于等于40Torr。 | ||
| 申请公布号 | CN101147246A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200680003756.5 | 申请日期 | 2006.08.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松下大介;村冈浩一;加藤弘一;中崎靖;三谷祐一郎 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L21/28(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：将半导体衬底放置在气氛中而在上述半导体衬底的表面形成氮化膜的工序，其中该气氛包含使上述半导体衬底的表面氮化的第一氮化气体、在制造中实质上不与上述半导体衬底反应的第一稀释气体，另外上述第一稀释气体的分压力和上述第一氮化气体的分压力的和与上述第一氮化气体的分压力的比大于等于5，并且总压力小于等于40Torr。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||