| 发明名称 | 半导体装置的导线材料 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体装置的导线材料，组成的物质按重量计包括：Ni 0.4至4.0％、Si 0.1至1.0％、Zn 0.05％至1.0％、Mn 0.01至1.0％、Mg 0.001至0.01％以下、Cr 0.001至0.01％以下、S最多高达0.003％、余下的是Cu和不可避免的杂质。此外，这导线材料还可含有高达5ppm的氧及高达5ppm的氢。 | ||
| 申请公布号 | CN1003065B | 申请公布日期 | 1989.01.11 |
| 申请号 | CN85103501 | 申请日期 | 1985.05.03 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 官藤元久;松井隆;田英和 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L23/48;C22C5/02 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 罗宏;刘元金 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体装置的导线材料，其特征在于按重量计包括Ni 0.4至4.0％、Si 0.1至1.0％、Zn 0.05至1.0％、Mn 0.01至1.0％、Mg 0.001至0.01％以下、Cr 0.001至0.01％以下，S最多可达0.003％，余下的是Cu和不可避免的杂质，该导线材料还包括高达5ppm的氢及高达5ppm的氧。 | ||
| 地址 | 日本兵库县神户市中央区胁浜町1丁目3-18 | ||