| 摘要 |
미세 마스크 패턴을 고정밀도로 형성하기 위해, 투광성 기판(1) 상에 광 반투과막(2), 차광막(3) 및 하드 마스크막(4)이 순서대로 적층된 마스크 블랭크(10)에 있어서, 광 반투과막은 규소와, 추가적으로 질소를 함유하고, 하드 마스크막은 규소 또는 탄탈륨과, 추가적으로 산소를 함유하고, 차광막은 크롬을 함유하는 하층(31), 중간층(32), 상층(33)의 적층 구조로서, 염소와 산소의 혼합 가스에 의한 에칭 레이트가, 상층이 가장 느리고, 다음으로 하층이 느려지도록, 차광막 조건을 조정하였다. |
