发明名称 栓扣式磁性存储器的数据写入控制电路及数据写入方法
摘要 本发明涉及一种磁性存储器的数据写入控制电路及数据写入方法,用以写入数据至一栓扣式磁性存储器,包括有:一第一晶体管、与第一晶体管串联的一第二晶体管、与第一晶体管电性连接的一传输闸、一比较电路、一储存电容与一逻辑电路;该比较电路的两输入端分别与第一晶体管电性连接;该储存电容的一端与第一晶体管电性连接,另一端与电源端或接地端连接;该逻辑电路的一端与比较电路的输出端电性连接,另一端输入写入数据。
申请公布号 CN101354908A 申请公布日期 2009.01.28
申请号 CN200710123286.2 申请日期 2007.07.23
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 陈永祥;王宠智;张嘉伯;洪建中
分类号 G11C11/16(2006.01) 主分类号 G11C11/16(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;祁建国
主权项 1、一种栓扣式磁性存储器的数据写入控制电路,用以写入数据至一栓扣式磁性存储器,该磁性存储器位于一第一导线与一第二导线的交会处之间,该磁性存储器具有一磁性穿隧结元件,该磁性穿隧结元件至少包括有一合成式反铁磁自由层、一隧道势垒层与一合成式反铁磁固定层,通过相邻于隧道势垒层的两层铁磁层的磁矩组态呈现反平行或平行排列所表现出电阻值高低,以表示所记录的数据,并在一初始时间呈现一初始组态,其特征在于,该数据写入控制电路包括有:一第一晶体管;一第二晶体管,与该第一晶体管串联;一传输闸,与该第一晶体管电性连接;一比较电路,其具有两输入端,分别与该第一晶体管电性连接;一储存电容,一端与该第一晶体管电性连接;一逻辑电路,与该比较电路的输出端电性连接;其中,在一初始时间该传输闸响应一激活信号而开启,以将一初始态电压储存至该储存电容;在一第一时间该传输闸关闭并导通该第一导线的一第一电流;在一第二时间接通穿过该第二导线的一第二电流,该比较电路输出两输入端的电压的比较结果,并使该逻辑电路响应该比较电路的输出结果与一待写入数据以输出一控制信号;响应该控制信号,以在一第三时间截止该第一导线的该第一电流或截止该第二导线的该第二电流;在一第四时间截止该第二导线的该第二电流或截止该第一导线的该第一电流。
地址 台湾省新竹县
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