发明名称 |
一种陶瓷基板平坦化制作方法 |
摘要 |
本发明属于陶瓷基板生产技术领域,特别涉及一种薄膜电路用陶瓷基板平坦化改性方法。本发明把与陶瓷基板热匹配的高温釉应用于薄膜电路基片平坦化领域,其特征为基板表面覆有一层薄薄的、与基板热膨胀系数相近的高温玻璃釉层。玻璃釉以Ca/Al/Si系玻璃为主要成分:质量百分比SiO<sub>2</sub> 41~65%、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 9~13%、CaO 10~17%,添加剂为MgO 1~4%、BaO 4~10%、Na<sub>2</sub>O 1~9%、K<sub>2</sub>O 1~9%。本发明的平坦化基板产品,表面既不会产生裂缝,也不会产生褶皱,在20×20um<sup>2</sup>的范围内,表面粗糙度Ra为0.2nm‑0.5nm,在100×100um<sup>2</sup>的范围Ra为0.5nm‑0.62nm,在2000×2000um<sup>2</sup>范围Ra为0.5nm‑31.68nm。 |
申请公布号 |
CN105753512A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201610107458.6 |
申请日期 |
2016.02.26 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
张继华;石玉龙;杨传仁;陈宏伟 |
分类号 |
C04B41/86(2006.01)I;C03C8/16(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/86(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
张杨 |
主权项 |
一种陶瓷基板平坦化制作方法,包括以下步骤:步骤1、将质量百分比SiO<sub>2</sub> 41~65%、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 9~13%、CaO 10~17%、MgO 1~4%、BaO 4~10%、Na<sub>2</sub>O 1~10%和K<sub>2</sub>O 1~10%均匀混合,球磨24小时;步骤2、用烘箱将步骤1产物烘干,在1200‑1500℃高温熔融至澄清状态,保温15‑60分钟,然后用去离子水冷淬;步骤3、将步骤2冷淬所得的玻璃熟料球磨48‑96小时;步骤4、用300目的筛网对步骤3产物过筛,再和有机载体以50‑200%的质量百分比进行混合,在60‑100℃的水浴氛围中搅拌4‑10小时,制得釉料,所述有机载体由110ml松油醇、2g氢化蓖麻油、8g乙基纤维素、30ml邻苯二甲酸二甲酯和2g吐温80均匀混合而成;步骤5、采用丝网印刷法,利用300目的丝网网版,在基板表面印刷厚度为10‑80um的釉料,在1100‑1300℃经过高温烧结,保温10‑60分钟,制得平坦化基板。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |