半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：(a)在半导体基板形成了集成电路的第一面上形成第一树脂层；(b)通过从与第一面相反的第二面去掉一部分而使半导体基板变薄而形成贯通电极，该贯通电极具有从第二面突出的第二突出部；(c)在半导体基板的第二面上，通过避开突出部而形成第二树脂层。这样，可以提高其可靠性。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)在与半导体基板的集成电路电连接的电极上形成贯通穴，在所述半导体基板上形成凹部，在所述贯通穴和所述凹部中形成贯通电极，并通过从与所述半导体基板的形成有所述集成电路和所述电极的第一面相反的第二面去掉一部分而使得变薄，从而使所述贯通电极的第二凸出部从所述半导体基板的所述第二面凸出；(b)在所述半导体基板的所述第一面上，形成第一树脂层；(c)在所述半导体基板的所述第二面上，露出所述第二突出部的表面的至少一部分，形成第二树脂层。