| 发明名称 | 用于减少晶片缺陷的保持环 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种保持环和一种化学机械抛光系统(CMP)。在一个实施方式中，用于抛光系统的保持环包括环形主体，所述环形主体具有抛光内径。所述主体具有：底表面，所述底表面具有形成在其中的槽；外径壁；和内径壁，其中所述内径壁被抛光至小于约30微英寸(μin)的平均粗糙度(R<sub>a</sub>)。 | ||
| 申请公布号 | CN105983901A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201610151349.4 | 申请日期 | 2016.03.16 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 胡永其;西蒙·亚沃伯格;甘加达尔·希拉瓦特;凯瑟拉·R·纳伦德纳斯 |
| 分类号 | B24B37/32(2012.01)I | 主分类号 | B24B37/32(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种用于抛光系统的保持环，所述保持环包括：环形主体，所述环形主体具有：底表面，所述底表面具有形成在其中的槽，外径壁；和内径壁，所述内径壁具有经选择以适应半导体基板的直径，其中所述内径壁被抛光至小于约30微英寸(μin)的平均粗糙度(R<sub>a</sub>)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||