| 发明名称 | 制造非易失性存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤：形成栅极，所述栅极各自具有其中在半导体衬底上沉积栅极绝缘层、第一导电层、介电层、第二导电层和金属硅化物层的结构，在与所述介电层的退火温度相同或低于所述介电层的退火温度的温度下退火所述金属硅化物层；在整个表面上形成缓冲氧化物层，和在所述缓冲氧化物层上形成氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101079396A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200710000603.1 | 申请日期 | 2007.01.09 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔元烈 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造非易失性存储器件的方法，其包括以下步骤：形成栅极，所述栅极各自具有其中在半导体衬底上层叠栅极绝缘层、第一导电层、介电层、第二导电层和金属硅化物层的结构；在与所述介电层的退火温度相同或低于所述介电层的退火温度的温度下退火所述金属硅化物层；在整个表面上形成缓冲氧化物层；和在所述缓冲氧化物层上形成氮化物层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||