| 发明名称 | 磁阻效应元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁阻效应元件，通过下述方法制造：形成第一磁性层；在第一磁性层上形成的包括绝缘层和导电层的间隔层，该导电层穿过绝缘层并传导电流；和在形成的间隔层上形成的第二磁性层，该第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101331568A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200680047653.9 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福泽英明;汤浅裕美;藤庆彦;岩崎仁志 |
| 分类号 | H01F41/30(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01) | 主分类号 | H01F41/30(2006.01) |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 丁利华 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应元件的制造方法，包括：形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成包括绝缘层和导电层的间隔层，所述导电层透过绝缘层并传导电流；以及在形成的所述间隔层上形成第二磁性层，所述第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||