氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种氧化物半导体薄膜晶体管包括：栅极电极，栅极电极位于衬底上并具有第一面积；栅极绝缘层，栅极绝缘层位于栅极电极上并覆盖栅极电极；有源层，有源层位于栅极绝缘层上并具有小于第一面积的第二面积；源极电极，源极电极位于有源层上并接触有源层的源极区域；漏极电极，漏极电极位于有源层上并接触有源层的漏极区域；以及钝化层，钝化层覆盖有源层、源极电极、以及漏极电极。

主权项

一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括：栅极电极，所述栅极电极位于衬底上并具有第一面积；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极电极上并覆盖所述栅极电极，并且所述栅极绝缘层包括具有第三面积的突起；有源层，所述有源层位于所述栅极绝缘层上并具有小于所述第一面积且大于所述第三面积的第二面积；源极电极，所述源极电极位于所述有源层上并接触所述有源层的源极区域；漏极电极，所述漏极电极位于所述有源层上并接触所述有源层的漏极区域；以及钝化层，所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极电极、以及所述漏极电极。