| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明在不增加掩膜数量和不用黑掩膜的情况下，提高了反射型显示器件或透射型显示器件的像素的孔径比。设置像素电极(167)使其部分交叠源布线(137)，该源布线(137)用于对像素之间的间隙屏蔽光，设置薄膜晶体管使其部分交叠栅布线(166)，该栅布线(166)用于对薄膜晶体管沟道区屏蔽光，因此实现了高的像素孔径比。 | ||
| 申请公布号 | CN101000897A | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200610156213.9 | 申请日期 | 2001.02.21 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅绝缘膜；以及通过以电感耦合等离子体蚀刻导电膜而在所述栅绝缘膜上形成源布线。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||