| 发明名称 | SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 | ||
| 摘要 | SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN104471117B | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201380035985.5 | 申请日期 | 2013.07.10 |
| 申请人 | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 | 发明人 | 冈田信宏;龟井一人;楠一彦;矢代将齐;森口晃治;大黑宽典;加渡幹尚;坂元秀光 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种制造装置，该制造装置是用于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置，其中，该制造装置包括：晶种轴，其具有供SiC晶种安装的下端面；坩埚，其用于收纳Si－C溶液，所述晶种轴包括：筒部；底部，其配置于所述筒部的下端，且具有所述下端面；低导热性构件，其配置于所述底部的上表面，且具有比所述底部的热传导率低的热传导率，所述低导热性构件配置于所述底部的中央部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||