METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT

摘要

실시예는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법에 있어서, 성장 중인 잉곳과 실리콘 용융액의 계면이 수평면으로부터 아래로 1 밀리미터 내지 5 밀리미터로 형성되고, 성장되는 잉곳의 BMD 사이즈(size)가 55 나노미터 내지 65 나노미터인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다.