| 发明名称 | GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>P；C、在第二过渡层Ga<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>P上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>P中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>P为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>P的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN106033785A | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201510109088.5 | 申请日期 | 2015.03.12 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 代盼;陆书龙;季莲;吴渊渊;谭明;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 孙伟峰 |
| 主权项 | GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在所述第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga<sub>1‑x</sub>In<sub>x</sub>P；C、在所述第二过渡层Ga<sub>1‑x</sub>In<sub>x</sub>P上生长GaAs底电池；D、在所述GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节所述第二过渡层Ga<sub>1‑x</sub>In<sub>x</sub>P中铟的含量使其晶格常数与所述GaAs底电池的晶格常数相匹配。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||