发明名称 一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器
摘要 本发明涉及一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器,与现有技术相比解决了尚无高功率紫外半导体激光器的缺陷。本发明的上排半导体发光阵列包括16个上光纤耦合模块,下排半导体发光阵列包括16个下光纤耦合模块,16个上光纤耦合模块和16个下光纤耦合模块上均接有光纤;16个上光纤耦合模块所接的光纤捆绑成二号光纤束,二号光纤束接入二号光纤输出端口,16个下光纤耦合模块所接的光纤捆绑成一号光纤束,一号光纤束接入一号光纤输出端口。本发明将相应波段半导体发光二极管发出的光通过非球面耦合透镜收进光纤,再对相应波段的光纤进行一定比例的搭配捆绑,达到同一输出光纤束具有高功率波长的目的。
申请公布号 CN106019859A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610586075.1 申请日期 2016.07.22
申请人 合肥芯碁微电子装备有限公司 发明人 张宽
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 合肥天明专利事务所 34115 代理人 张祥骞;奚华保
主权项 一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器,包括壳体(11),其特征在于:所述的壳体(11)内安装有上排半导体发光阵列(12)和下排半导体发光阵列(13),壳体(11)的侧部设有一号光纤输出端口(7)和二号光纤输出端口(8),上排半导体发光阵列(12)和下排半导体发光阵列(13)分别位于一号光纤输出端口(7)的两侧;上排半导体发光阵列(12)包括16个上光纤耦合模块(6),下排半导体发光阵列(13)包括16个下光纤耦合模块(5),16个上光纤耦合模块(6)和16个下光纤耦合模块(5)上均接有光纤(4);16个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)捆绑成二号光纤束(16),二号光纤束(16)接入二号光纤输出端口(8),16个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成一号光纤束(15),一号光纤束(15)接入一号光纤输出端口(7)。
地址 230088 安徽省合肥市高新区望江西路2800号创新产业园二期H2楼533室