发明名称 制备氧化石墨烯薄膜和柔性非接触式电容传感器的方法
摘要 本发明提供一种制备氧化石墨烯薄膜的方法和一种利用该方法制备的氧化石墨烯薄膜作为介电层来制备柔性非接触式电容传感器的方法。制备氧化石墨烯薄膜的方法包括以下步骤:准备滤膜;制备其中均匀地分散有金属氢氧化物纳米材料的水溶液;在滤膜上形成牺牲层;制备氧化石墨烯的水溶液;使氧化石墨烯的水溶液中的氧化石墨烯吸附在衬底上,得到复合结构;去除牺牲层,得到具有预定厚度的氧化石墨烯薄膜。根据本发明的制备氧化石墨烯的方法,能够可控的制备氧化石墨烯薄膜。
申请公布号 CN106032072A 申请公布日期 2016.10.19
申请号 CN201510114086.5 申请日期 2015.03.16
申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明人 张珽;刘林;李光辉;吴永进
分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;G01R27/26(2006.01)I 主分类号 B32B9/04(2006.01)I
代理机构 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人 孙伟峰
主权项 一种制备氧化石墨烯薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:准备滤膜;制备其中均匀地分散有金属氢氧化物纳米材料的水溶液;制备其中均匀地分散有氧化石墨烯的水溶液;将滤膜置于其中均匀地分散有金属氢氧化物纳米材料的水溶液中,以使金属氢氧化物纳米材料被吸附在滤膜上,从而在滤膜上形成牺牲层;利用形成有牺牲层的滤膜作为衬底,将其置于其中均匀地分散有氧化石墨烯水的水溶液中,以使氧化石墨烯的水溶液中的氧化石墨烯吸附在衬底上,形成沿厚度方向顺序地附有牺牲层和氧化石墨烯薄膜的复合结构;将复合结构浸入酸或碱溶液中以去除牺牲层,从而使氧化石墨烯薄膜从滤膜上剥离,得到具有预定厚度的氧化石墨烯薄膜。
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