Method of fabricating a metal-semiconductor contact in semiconductor devices

摘要

2.1 Bei bekannten Verfahren besteht im Zuge von Metallabscheidungen ein relativ hohes Kontaminationsrisiko.
2.2 Bei dem neuen Verfahren wird der eigentliche Metall-Halbleiter oder Schottky-Kontakt erst nach dem Aufbringen eines schützenden Schichtsystems erzeugt, wodurch sich beliebige Metalle, insbesondere Platin, ohne Kontaminationsrisiko verwenden lassen.