| 主权项 |
1﹒一信号限制器,该信号限制器包括一第一及第二反相输入信号源;第一及第二电晶体,且该等电晶体系以底极,射极及集极电极配置成共用集极结构形式;一对二极体,且该等二极体被配置成彼此成反并联关系;以及一差别放大器,且该放大器具有第一及第二输入接头与一输出电路,以对所加至该等输入接头上之信号提供差别响应;该种信号限制器之特点为第一及第二电晶体之底极电极均系被连接至该信号源,以分别接收第一及第二输入信号,该等差别放大器输入接头系分别被耦合至第一及第二电晶体射极电极中之各单独电极,该对反并联连接之二极体系被耦合在第一与第二差别放大器输入接头之间;及包括装置,用以当该等输入信号有足移之大以致出现在第一及第二差别放大器输入接头间之信号受限制时,使实质上足够大之射极电流流过第一及第二电晶体之每一封极电极以便在第一及第二输入信号周之一部份期间分别保持彼等各自半导体接面之顺向导电者。2﹒根据上述请求专利部分第1项之信号限制器,其特点为第三及第四电晶体,该等电晶体各具有底极与财极电极及在其间之一底极一射极半导体接面以及一集极电极,该等电晶体系被连接成射极耦合放大器结构形式以构成该差别放大器,该差别放大器之第一及第二接头被分别耦合于该第三及该第四电晶体底极电极中之各单独电极,该差别放大器之输出电路系包括第一及第二电晶体中至少一个电晶体之集极至射极路径者。3﹒根据上述请求专利部份第2项之信号限制器,其特点为第一及第二二极体均为一种型式之半导体接面,该种型式之接面系比第三及第四电晶体之该等底极一射极半导体接面在倾向偏压时具有较低之特性偏差(offset)电压者。4﹒根据上述请求专利部份第2项之信号限制器,其特点为一双向导电电阻系被插入而与每一该第一、及该第二二极体成串联连接者。5﹒根据上述请求专利部份第1项之一种限制器,以响应输入信号而提供受对称限制之信号及以供尔后耦合于运用装置,该种限制器之特点为:该等第一及第二二极体各具有阳极及阴极及各具有与其有效结合之杂散电容存在于其各电极之至少一个电极与一参考电位点之间,该输入信号源系参照于该参考电位并就该等输入信号之频率范围言系具有此该等杂散电容之阻抗更少之一信号源阻抗;装置之用以将该差别放大器第一输入接头耦合于输入信号源者;装置之用以将第一二极体阳极及第二二极体阴极耦合于差别放大器第一输入接头者,装置之用以将第一二极体阴极及第二二极体阳极耦合于该差别放大器第二输入接头者电阻性装置之用以将该差别放大器第二输入接头耦合于该参考电位者,该电阻性装置具有一电阻,该电阻系比每一迄今所称耦合装置之该等阻抗以及输入信号源之信号源阻抗至少为大一数値级者。6﹒根据上述请求专利部份第1项之一种信号限制器,包括一已调变载波信号源,该种信号限制器之特点为一平衡反谐晨储能电路且该电路可响应于调变载波信号以提供被选择性滤波之第一及第二反相载波电位;该等第一及第二共用集极电晶体各以一输入接头直接耦合于平衡储能电路,以分别接受被选择性滤波之第一及第二载波电位,并各具有一输出接头;第三及第四电晶体各具有一射极及一底极电极及在其间之一射极一底极半导体接面以及一集极电极,该等第三及第四电晶体系被配置为一乘积检波器,该等第三及第四电晶体之射极电极系被相互连接及配置以接收来自信号源之已调变载波信号,该等第三及第四电晶体之底极电极分别被耦合于该等共用集极电晶体放大器之单独输出接头,该等第三及第四电晶体之集极电极中至少一集极系被耦合于运用装置上者。7﹒根据上述请求专利部份第6项之一种强化载波调幅检波器,其特点为该第一及该第二二极体系在倾向偏压低于第一及第二电晶体射极一底极接面之倾向偏压时即具有一项特性偏差电位,并且第一及第二双向导电电阻系被分别串联连接于该反并联组合内之勇一及第二二极体中之各单独二极体者。8﹒根据上述请求专利部份第6项之一种强化载波调幅检波器,其特点为该第一及该第二二极体系在倾向偏压低于第一及第二电晶体射极一底极接面之顺向偏压时即具有一特性偏差电位,并且一双向导电电阻系被串联耦合于第一及第二二极体者。 |
