Atomic Layer Deposition using a bias

摘要

원자층 증착법이 제공된다. 상기 원자층 증착법은 챔버 내의 기판 지지대에 제1 바이어스(bias)가 인가된 상태에서, 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하는 단계, 상기 소스 가스를 퍼지(purge)시키는 단계, 상기 기판 지지대에 상기 제1 바이어스와 다른 극성을 갖는 제2 바이어스가 인가된 상태에서, 상기 챔버 내에 반응 가스를 공급하는 단계, 및 상기 반응 가스를 퍼지시키는 단계를 포함한다.